4月1日，应物理电子工程学院邀请，武汉大学博士生导师廖蕾教授来我校讲学，在理科楼511会议室做了题为“高性能绝缘栅薄膜晶体管设计与物性研究”的学术报告。报告会由物理电子工程学院院长罗永松教授主持，120余名师生聆听了报告。

 廖蕾从晶体管的发明、应用及特性讲起，简要论述了其在现代电子电路中的关键作用；分析了半导体沟道层对晶体管性能的影响和制约规律，解读了二维石墨烯、过渡族氧化物的物性特征，以及采用材料表面功能化的方法实现硫化钼表面高介电常数介质层的高质量沉积；重点讲解了提升晶体管载流子迁移率、提高器件响应速度的新方法，以及高性能硫化钼场效应管的设计和参数指标，及其对大面积制备高性能薄膜场效应晶体管及相应射频器件的重要意义。在互动环节，廖蕾详细回答了师生提出的相关问题，并与师生进行了讨论交流。

在校讲学期间，校长宋争辉、副校长张力接见了廖蕾教授。

廖蕾，男，博士。2009--2011年在加州大学洛杉矶分校进行博士后工作，2011年7月入职武汉大学物理学院，任职教授。作为第一作者和通讯作者在Nature、PNAS、Nano Lett.、Adv. Mater.、JACS、ACS Nano等杂志上发表SCI论文50余篇，被邀请在Mater. Sci. & Eng. R, Mater. Today, Nano Today撰写综述多篇。论文被他引用4800多次，H因子42。2012年获批国家自然科学优秀青年基金项目，2015年入选中组部青年拔尖人才支持计划，并获湖北省自然科学一等奖、Scopus青年科学之星、教育部新世纪优秀人才等荣誉。

                                   （物理电子工程学院 仓玉萍 供稿）